que ce soit un N-MOS ou un P-MOS (je parle pas des C-MOS) en canal induit, son substrat (B) peut-être reliée soit à la masse soit à la source (S).
ok, mais vaut mieux koi les 2 méthodes ont des applications différentes ou c'est juste une question de style ?
 
de ce qu'a dit la prof, le substrat devrai être au potentiel le plus bas, mais après elle nous dit que certain mettent le substrat à la source alors que la source n'est quand même pas reliée directement à la masse (typiquement y'a une résistence)
 
alors quid ?

Euh j'ai peur de dire des bétises, mais dans les quelques schémas que j'ai vu avec des MOSFET, le substrat est relié :
-à la source pour les canal N
-au drain pour les canal P
aprés je ne peux pas t'éclairer plus ! je me renseignerai !

ah ? pour les P-MOS ça peut se relier au drain plutôt qu'a la source elle avait omit de le préciser ça la prof mais oui, dans un sens c logique

précise ta pensé s'il te plait

sur quoi ?
 
(en y repensant, non, spa si logique que ça j'en voit même pas trop l'interet puisque le drain et la source sont du même dopage )

il n y a pas de choix stricte....
c est selon ce que le constructeur veut faire
sur un TO220 par exemple, que le mos soit P ou N c est le meme pinout pour un fabriquant (voir la plupart car ils se sont alignés sur un pseudo standard)
vu de face, les pinoches en bas, c est Grille, Drain et Source
GDS quoi
ce qui veut dire que le drain est sur le substrat cat c est le "tab" c est a dire la languette de refroidissement
ensuite deux fils d or connectent les pins G et S
mais le tab peut tre bien etre isolé electriquement du die...

donc en gros sur certain composant le choix est déjà fait
 
ça renforce encore plus l'idée qu'on peux avoir de choisir spéciallement tel composant où le substrat est dispo
 
 
dans la pratique, ça à une importance l'une ou l'autre solution ?

non, aucune, enfin du moins j en vois pas...
il y a meme les IGBT qui sont des transistors de puissance isolés (dans le TGV par exemple)

oui, j'ai vu les IGBT (très rapidement c'est appronfondi en cycle ingé )  
 
merci